X-FAB bietet erstmalig Fertigungsdienstleistungen für SiC-Halbleiter auf 6-Zoll-Wafern an

X-FAB Silicon Foundries bietet ab sofort Foundry-Dienstleistungen für die Volumenfertigung von Siliziumkarbid-Halbleitern (SiC) aus seinem Werk in Texas an und wird somit zum Vorreiter in der Fertigung von Wide-Bandgap-Halbleitern.

Nach umfangreichen Investitionen in die Umrüstung von Equipment und mit der Unterstützung durch das PowerAmerica Institute der North Carolina State University verfügt X-FAB Texas nunmehr über die technischen Voraussetzungen für die Bearbeitung von SiC-Wafern. Die Erweiterungen umfassen unter anderem Hochtemperatur-Ausheilungs-Equipment, Ausrüstungen zum Rückseitenschleifen der SiC-Wafer sowie Anlagen zur Rückseiten-Metallisierung. Im Laufe des Jahres wird die Fertigungslinie um einen Hochtemperatur-Implanter erweitert.

Damit verbindet X-FAB die Vorteile der Volumenproduktion aus der etablierten Silizium-Fertigungslinie (mit einem Durchsatz von 30.000 Wafern pro Monat) erstmalig mit der auf 6-Zoll-Wafern basierenden Produktion von SiC-Bauelementen.

Neben den neu verfügbaren 6-Zoll-Wafer-Kapazitäten bietet X-FAB seinen Kunden weitere Vorteile für eine erfolgreiche SiC-Fertigung, wie hohe Fertigungsausbeuten und ein schnelles Erreichen der Serienproduktion durch jahrzehntelange Erfahrung in der Fertigung von Halbleiterbauelementen nach den hohen Qualitätsstandards der Automobilindustrie. X-FAB ist damit nicht nur ein Partner für Fabless-Unternehmen, sondern auch als Zweitlieferant für Halbleiterhersteller (IDMs) mit eigener SiC-Waferfertigung gut aufgestellt.

Kontakt: Thomas Hartung, X-FAB Silicon Foundries
thomas.hartung@xfab.com